具有超低反射的高性能电磁干扰屏蔽用不对称结构MXene/PBO气凝胶

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研究背景与目的

  • 电磁干扰(EMI)屏蔽材料需具备低电磁波反射特性,以有效阻挡电磁辐射和污染。
  • 低反射材料需由具有优异电磁波吸收性能的材料构成。
  • 同时具备低反射率和优异EMI屏蔽性能的材料稀缺,因此需开发多层结构。

材料与方法

  • 材料
    • 聚对苯撑-2,6-苯并二噁唑(PBO)纳米纤维(PNF)通过去质子化法制备,具有优异性能。
    • MXene与通过原位生长制备的异质结构MXene@Ni结合。
  • 结构
    • MXene@Ni/PNF作为电磁吸收层,MXene/PNF作为电磁反射层。
    • 基于分层模块化设计理念,通过逐层冻干法制备(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶。

实验与表征

  • 实验
    • 通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析材料的结构和形态。
    • 使用有限元模拟计算电场强度分布和散射信号分布。
  • 表征
    • 研究MXene与Ni的质量比对MXene@Ni电磁参数的影响。
    • 研究MXene含量对MXene/PNF气凝胶和组装(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶的EMI屏蔽性能的影响。

结果与讨论

  • 结果
    • 当MXene与Ni的质量比为1:6,且反射层中MXene的质量分数为80%时,(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶表现出优异的EMI屏蔽性能(71 dB)和极低的反射系数(R = 0.10)。
    • 有限元模拟验证了所开发的不对称结构气凝胶具有低反射特性的高EMI屏蔽性能。
    • (MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶还显示出优异的红外伪装能力。
  • 讨论
    • 通过控制MXene表面磁性纳米粒子的原位生长,可以调制功能填料的电磁参数,以实现X波段的良好阻抗匹配性能。
    • MXene@Ni/PNF的吸收层具有良好的阻抗匹配和电磁波吸收损耗能力,而MXene/PNF的反射层由于其高导电性,保证了组装后的(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶具有优异的EMI屏蔽性能。

应用前景

  • 由于MXene的低红外发射率和气凝胶的优异隔热性能,所组装的复合材料具有良好的红外伪装性能。
  • 这种具有红外伪装和低反射特性的EMI屏蔽复合材料在下一代电子设备中具有广阔的应用前景。

异质结构MXene@Ni电磁功能填料的制备

  1. 混合与超声处理:首先,将一定量的MXene与含有NiCl₂·6H₂O(0.0025摩尔每50毫升)的乙二醇(EG)溶液混合均匀,然后使用细胞粉碎机进行30分钟的超声处理。
  2. 反应:接着,加入一定量的水合肼(N₂H₄·H₂O)和1摩尔的NaOH溶液,在90°C的烘箱中反应1小时。
  3. 后处理:反应完成后,收集黑色的粉末,用去离子水和乙醇反复洗涤,然后在50°C的真空烘箱中干燥12小时,得到异质结构MXene@Ni电磁功能填料。
  4. 对照实验:还进行了不引入MXene单独制备Ni的对照实验,步骤与上述相同。

(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶的制备

  1. 冷冻:将预先制备的MXene/PNF水分散液倒入特定尺寸(长度为23毫米,宽度为12毫米)的矩形聚四氟乙烯模具中。然后将模具放入冰箱中冷冻。
  2. 添加MXene@Ni/PNF:当样品刚刚冷冻时,加入制备好的MXene@Ni/PNF水分散液,直到样品完全冷冻。
  3. 真空冷冻干燥:将样品在-70°C和低于2帕的条件下进行48小时的真空冷冻干燥,得到(MXene@Ni/PNF)–(MXene/PNF)气凝胶。
a) MXene@Ni制备示意图。当MXene与Ni的质量比为b,b′)1:2,c,c′)1:4,d,d′)1:6和e,e′)1:8时,制备MXene@Ni的SEM图像。
a) MXene@Ni制备示意图。当MXene与Ni的质量比为b,b′)1:2,c,c′)1:4,d,d′)1:6和e,e′)1:8时,制备MXene@Ni的SEM图像。
当MXene与Ni的质量比分别为1:2、1:4、1:6和1:8时,得到了a) ε′和ε″,a’)tanδ ε, b) μ′和μ″,b’)tanδμ, c) α和d) C0 (MXene@Ni)。当MXene与Ni的质量比为e) 1:4, f) 1:6, g) 1:8时,制备的MXene@Ni电场分布。
当MXene与Ni的质量比分别为1:2、1:4、1:6和1:8时,得到了a) ε′和ε″,a’)tanδ ε, b) μ′和μ″,b’)tanδμ, c) α和d) C0 (MXene@Ni)。当MXene与Ni的质量比为e) 1:4, f) 1:6, g) 1:8时,制备的MXene@Ni电场分布。
当MXene与Ni的质量比为a) 1:2, b) 1:4, c) 1:6, d) 1:8时,制备了MXene@Ni的|Zin/Z0|的二维彩色映射。当MXene与Ni的质量比分别为a′)1:2、b′)1:4、c′)1:6和d′)1:8时,制备了覆盖MXene@Ni的PEC平面三维RCS图。e) CST模拟模型示意图。f) MXene与Ni的质量比分别为1:2、1:4、1:6、1:8,不同入射角时制备的PEC平面及MXene@Ni覆盖PEC平面的模拟RCS曲线。f) MXene与Ni质量比为1:2、1:4、1:6、1:8时制备的MXene@Ni的RCS还原值。g)模拟PEC平面的RCS曲线,以及MXene、Ni覆盖的PEC平面,以及MXene与Ni质量比为1:6时制备的混合MXene/Ni。
当MXene与Ni的质量比为a) 1:2, b) 1:4, c) 1:6, d) 1:8时,制备了MXene@Ni的|Zin/Z0|的二维彩色映射。当MXene与Ni的质量比分别为a′)1:2、b′)1:4、c′)1:6和d′)1:8时,制备了覆盖MXene@Ni的PEC平面三维RCS图。e) CST模拟模型示意图。f) MXene与Ni的质量比分别为1:2、1:4、1:6、1:8,不同入射角时制备的PEC平面及MXene@Ni覆盖PEC平面的模拟RCS曲线。f) MXene与Ni质量比为1:2、1:4、1:6、1:8时制备的MXene@Ni的RCS还原值。g)模拟PEC平面的RCS曲线,以及MXene、Ni覆盖的PEC平面,以及MXene与Ni质量比为1:6时制备的混合MXene/Ni。
a) (MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶制备示意图。b,b’)(MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶的侧面SEM图像,以及对应的b″)Ni的EDS元素分布图。c-c″)MXene@Ni/PNF和d-d″)MXene/PNF的SEM图像。
a) (MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶制备示意图。b,b’)(MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶的侧面SEM图像,以及对应的b″)Ni的EDS元素分布图。c-c″)MXene@Ni/PNF和d-d″)MXene/PNF的SEM图像。
a) | zn - z0 |的二维彩色图,b) MXene@Ni/PNF气凝胶在不同厚度下的smith图。c) 2.6 mm厚MXene@Ni/PNF气凝胶的三维RCS图。d) EMI SET, e) EMI SE, f) (MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶的R和A,当电磁波从MXene@Ni/PNF的吸收层入射时,MXene的质量分数分别为40%、60%和80wt .%。g) MXene质量分数为80 wt.%的MXene/PNF气凝胶,h) MXene@Ni/PNF气凝胶和i) (MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF) MXene/PNF反射层中MXene质量分数为80 wt.%的MXene/PNF气凝胶的电场分布模拟。j)当电磁波从MXene@Ni/PNF的吸收层入射时(MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶的电磁干扰屏蔽机理示意图。
a) | zn – z0 |的二维彩色图,b) MXene@Ni/PNF气凝胶在不同厚度下的smith图。c) 2.6 mm厚MXene@Ni/PNF气凝胶的三维RCS图。d) EMI SET, e) EMI SE, f) (MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶的R和A,当电磁波从MXene@Ni/PNF的吸收层入射时,MXene的质量分数分别为40%、60%和80wt .%。g) MXene质量分数为80 wt.%的MXene/PNF气凝胶,h) MXene@Ni/PNF气凝胶和i) (MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF) MXene/PNF反射层中MXene质量分数为80 wt.%的MXene/PNF气凝胶的电场分布模拟。j)当电磁波从MXene@Ni/PNF的吸收层入射时(MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶的电磁干扰屏蔽机理示意图。
a) MXene与Ni的质量比为1:6时制备的PNF气凝胶,MXene, MXene@Ni的TGA曲线,MXene的质量分数为80wt .%的MXene/PNF气凝胶,MXene@Ni/PNF气凝胶和(MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶,MXene的质量分数为80wt .%的MXene在反射率层。b) PNF气凝胶、MXene/PNF气凝胶(MXene质量分数为80wt .%)和MXene@Ni/PNF气凝胶的λ。c)辐射温度为103.0℃时(MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶接触热板的不同表面和d)辐射温度为68.3℃时(MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶接触热板的侧面红外热图像。e) (MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶红外伪装示意图。f)手机,g)手掌,h,i) (MXene@Ni/PNF) - (MXene/PNF)气凝胶覆盖的高温军用装备模型的红外伪装效果。
a) MXene与Ni的质量比为1:6时制备的PNF气凝胶,MXene, MXene@Ni的TGA曲线,MXene的质量分数为80wt .%的MXene/PNF气凝胶,MXene@Ni/PNF气凝胶和(MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶,MXene的质量分数为80wt .%的MXene在反射率层。b) PNF气凝胶、MXene/PNF气凝胶(MXene质量分数为80wt .%)和MXene@Ni/PNF气凝胶的λ。c)辐射温度为103.0℃时(MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶接触热板的不同表面和d)辐射温度为68.3℃时(MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶接触热板的侧面红外热图像。e) (MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶红外伪装示意图。f)手机,g)手掌,h,i) (MXene@Ni/PNF) – (MXene/PNF)气凝胶覆盖的高温军用装备模型的红外伪装效果。

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